碳基芯片来袭,北大发布重要成果,电子迁移提升1000倍

对于芯片来说,同类型体积下里面晶体数量越多,性能就会越强,这是摩尔定律决定的。也是国内外芯片设计和加工厂商共同追求的高端纳米工艺目标。

光刻机是制作芯片最主要的工具之一,市场上的那些 5nm、7nm、10nm、14nm 等讲不是芯片的晶体管数量,而是芯片中晶体管的大小,想要制作更小的晶体管,对光刻机上面的光源和镜头等都有着极高的要求,根据【光速=频率×波长】的原理,波长越小时,频率越高。当当频率越高时紫外线的传播路线就越直,抖动就越小,图像的像素点就会越密越小。目前只有荷兰ASML的EUV光刻机才能做到,其极紫外光源的波长为13.5nm 。

我国在硅基芯片时代的发展较晚,也如网友所说的是被牵着鼻子进步的,这么多年下来突破性的进展很少,直到现在的硅晶体管已经快要到达使用极限的时候,我们的芯片纳米技术还一直在攻破7nm工艺,那么有没有一种新的方式,既可以提升芯片的性能,还可以不用使用那么高的纳米工艺呢?答案是有的,这就是本文讲的以碳纳米管为材料的碳基芯片。

那么碳基芯片还会依赖于高端的ASML高端光刻机吗?肯定不会的,毕竟我们研发的目的就是为了摆脱对ASML高端光刻机的控制,打造出我们自己的新材料芯片时代,由于具体的制作工艺并没有爆料,但是肯定是,就算需要光刻机刻画电路,国产的光刻机就已经足够了。

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